Одноуровневая и много уровневая Кэш-память

Современные технологии позволяют разместить кэш-память и ЦП на общем кристалле. Такая внутренняя кэш-память строится по технологии статического ОЗУ и является наиболее быстродействующей. Емкость ее обычно не превышает 64 Кбайт. Попытки увеличения емкости обычно приводят к снижению быстродействия, главным образом из-за усложнения схем управления и дешифрации адреса. Общую емкость кэш-памяти ВМ увеличивают за счет второй (внешней) кэш-памяти, расположенной между внутренней кэш-памятью и ОП. Такая система известна под названием двухуровневой, где внутренней кэш-памяти отводится роль первого уровня (L1), а внешней - второго уровня (L2). Емкость L2 обычно на порядок больше, чем у L1, а быстродействие и стоимость - несколько ниже. Память второго уровня также строится как статическое ОЗУ. Типичная емкость кэш-памяти второго уровня - 256 и 512 Кбайт, реже - 1 Мбайт, а реализуется она, как правило, в виде отдельной микросхемы, хотя в последнее время L2 часто размещают на одном кристалле с процессором, за счет чего сокращается длина связей и повышается  быстродействие.


При доступе к памяти ЦП сначала обращается к кэш-памяти первого уровня. В случае промаха производится обращение к кэш-памяти второго уровня. Если информация отсутствует и в L2, выполняется обращение к ОП и соответствующий блок заносится сначала в L2, а затем и в L1. Благодаря такой процедуре часто запрашиваемая информация может быть быстро восстановлена из кэш-памяти второго уровня.
1К- кэш-память команд, Д - кэш-память данных, С - смешанная кэш-память.


Среднее время доступа Г. к одноуровневой кэш-памяти можно оценить как:
где Тш. время обращения при попаданиия-коэффициент промахов Тш -потери на промах. Для двухуровневой кэш-патти имеем:

Потенциальная экономия за счет применения L2 зависит от вероятности попаданий как в L1, так и в L2. Ряд исследований показывает, что использование кэшпамяти второго уровня существенно улучшает производительность.


В большинстве семейств микропроцессоров предусмотрены специальные ИМС контроллеров внешней кэш-памяти, например микросхема 8291 для микропроцессора Intel 486 или 82491 - для Intel Pentium . Для ускорения обмена информацией между ЦП и L2 между ними часто вводят специальную шину, так называемую шину заднего плана, в отличие от шины переднего плана, связывающей ЦП с основной памятью.


Количество уровней кэш-памяти не ограничивается двумя. В некоторых ВМ уже можно встретить кэш-память третьего уровня (L3) и ведутся активные дискуссии о введении также и кэш-памяти четвертого уровня (L4). Характер взаимодействия очередного уровня с предшествующим аналогичен описанному для L1 и L2. Таким образом, можно говорить об иерархии кэш-памяти. Каждый последующий уровень характеризуется большей емкостью, меньшей стоимостью, но и меньшим быстродействием, хотя оно все же выше, чем у ЗУ основной памяти.

Вернутся к заглавию

Сайт создан в системе uCoz